2016年11月15日，第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA22016）在北京國際會(huì)議中心隆重舉行。大會(huì)緊扣時(shí)代發(fā)展脈搏與產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，以“新經(jīng)濟(jì)，新動(dòng)能，LED產(chǎn)業(yè)的多維度發(fā)展機(jī)遇”為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、業(yè)內(nèi)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)人士的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展日新月異，技術(shù)也在不斷更新迭代中加速向前，隨著產(chǎn)業(yè)及市場(chǎng)的不斷成熟，技術(shù)的支持自然更是不可或缺，華燦光電副總裁王江波博士在SSLCHINA2016的“芯片、封裝與模組技術(shù)”專題分會(huì)中分享了題為《The insertion layer technologies for high efficiency III-nitride based LEDs 》的技術(shù)報(bào)告。近年來，III族氮化物的發(fā)光二極管（LED）由于其在固態(tài)照明和功能顯示中的廣泛應(yīng)用而引起關(guān)注。為了節(jié)省更多的能量消耗和降低成本，需要進(jìn)一步提高基于III族氮化物L(fēng)ED的光效和良率。插入層技術(shù)廣泛用于諸如晶體管，太陽能電池和發(fā)光二極管（LED）的半導(dǎo)體器件的外延生長和芯片制造工藝中，以提高器件性能，可靠性和良率。在報(bào)告中王博士與與參會(huì)嘉賓分享了外延及芯片插入層技術(shù)對(duì)III族氮化物基LED性能提升的影響，包括一些較為常見和較為新穎的插入層技術(shù)。報(bào)告吸引業(yè)內(nèi)專家學(xué)者廣泛關(guān)注并在會(huì)后與王博士進(jìn)行了深入交流。
在17日下午的大會(huì)閉幕式上，王博士也作為嘉賓參與了“跨國并購與格局重塑”的議題討論。王博士表示，并購是有助于企業(yè)整合資源，借助外力形成合力共同發(fā)展，具有品牌，渠道，專利等方面的共享優(yōu)勢(shì)，但是需要謹(jǐn)慎選擇合作伙伴。中國是全球外延芯片生產(chǎn)聚集地，華燦一直致力于LED外延芯片領(lǐng)域的研發(fā)生產(chǎn)和銷售，對(duì)LED行業(yè)的發(fā)展抱有信心，并為成為全球前三大外延芯片制造商而持續(xù)努力。
